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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Reliability of high-k-metal gate field-effect transistors considering circuit operational constraints Beteiligte: Kupke, Steve [VerfasserIn] Körperschaft: Technische Universität Dresden Erschienen: Norderstedt: Books on Demand, 2015 Erschienen in: Research at namlab Ausgabe: 1. Auflage Weitere Titel: Umfang: 118 Seiten; Illustrationen, Diagramme; 21 cm x 14.8 cm, 189 g Sprache: Englisch ISBN: 9783741208690; 3741208698 Entstehung: RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren ZN 4040 : Zuverlässigkeit elektronischer Bauelemente und Geräte Schlagwörter: High-k Metal-Gate-Technik > Hafniumdioxid > High-k-Dielektrikum > MOS-FET > Statisches RAM > Schaltvorgang > Degradation > Schwellenspannung > Durchschlagspannung > Zuverlässigkeit Anmerkungen:
Zentralbibliothek – Magazin Signatur: 2016 8 018898 Barcode: 34121848 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 2016 8 018897 Barcode: 34121847 Status: Bestellen zur Benutzung im Haus, kein Versand per Fernleihe, nur Kopienlieferung > Bestellen möglich - bitte anmelden