Nardmann, Tobias
[VerfasserIn]
;
Technische Universität Dresden
Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling
Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp:
Buch;
Hochschulschrift
Titel:
Physics-based compact modeling and parameter extraction for InP heterojunction bipolar transistors with special emphasis on material-specific physical effects and geometry scaling