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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Untersuchung des elektronischen Transports an 28nm MOSFETs und an Schottky-Barrieren FETs aus Silizium-Nanodrähten Beteiligte: Beister, Jürgen [VerfasserIn] Körperschaft: Technische Universität Dresden Erschienen: [2018?] Erschienen in: Research at namlab Umfang: xi, 171 Seiten; Illustrationen, Diagramme Sprache: Deutsch; Englisch RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren Schlagwörter: Hochschulschrift Entstehung: Hochschulschrift: Dissertation, Technische Universität Dresden, 2018 Anmerkungen: Text auf Deutsch, Kurzzusammenfassung auf Englisch
Zentralbibliothek – Magazin Signatur: 2019 8 003488 Barcode: 33414493 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 2019 8 003490 Barcode: 33414825 Status: Bestellen zur Benutzung im Haus, kein Versand per Fernleihe, nur Kopienlieferung > Bestellen möglich - bitte anmelden